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普通电极（石墨烯片）需要具有高导电性，争抢制高更重要的是提供良好的电流扩散。产业b）CsPbBr3 QD基RRAM在直流偏置扫描(0V→+2V→−4V→0V)下的I-V特性。
各国图中还标出了PLEC的上升(τRise)和下降(τFall)次数。在这些LEM结构中，争抢制高记忆材料和连接记忆体和底层光发射体的普通电极都必须是透明的。这种RRAM和LED的结合带来了一种新的存储设备，产业称为发光存储器（LEM），它可以通过光电检测并行和同步读取编码信号。
【引言】最近，各国随着物联网(IoT)和人工智能(AI)技术各种领域占据主导地位，对高转换速度、大存储容量、低功耗的下一代存储设备的需求大幅增加。因此，争抢制高迫切需要一种基于特定材料的新型LEM结构，促进光子系统和电阻开关之间的无缝集成，以克服这些挑战。
图5Ag/CsPbBr3 QDs/ITO器件功能的主动切换a）示意图说明了CsPbBr3 QDs基器件的双重功能，产业既可以是RRAM，通过改变偏置极性也可以是LEC。
它们可以很容易地通过溶液方法进行处理，各国并可用于高可扩展应用的低成本、大规模生产的光电器件。科学家辞职、争抢制高抗议也不是头一回了。
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